جرت في قسم الفيزياء بكلية العلوم جامعة بغداد، مناقشة رسالة الماجستير الموسومة “الدراسة النظرية لترانزستور تأثير المجال العضوي البينتاسين باستخدام بوابة مختلفة المواد العازل ” للطالبة زينب نصير هاشم واشراف الاستاذة الدكتورة استبرق طالب عبد الله .
وهدف البحث الى محاولة لتعزيز أداء ترانزستور المجال العضوي القائم على البنتاسين باستخدام مواد عضوية وغير عضوية مع طبقة أحادية و ثنائية لعزل البوابة عبر دراسة التوصيف الكهربائي لترانزستور المجال العضوي ونسبة التبديل و تأثير السمك .
واوصت الرسالة بعد التوصل الى الاستنتاجات ان ملاحظة المناطق الخطية والتشبعية لجميع الأجهزة بوضوح مع زيادة الفولتية السلبية للبوابة، مما يظهر سلوك FET انموذجي من نوع تراكم القناة p. عند الفولتية المنخفضة، والتي تظهر منحنيات تيار مصدر التصريف (Id-Vd) خطية جيدة، فيما اظهرت الطبقة العازلة الرقيقة تيارا تشبعيا أعلى وأيون/أيوف أكبر، والحصول على أعلى أيون/أيوف قدره 104 عند 100 نانومتر، لأن القدرة على تخزين الشحنات تتناقص مع زيادة سمك الطبقة العازلة، ومن خصائص النقل يمكن ملاحظة أن Id يتناقص بمقدار أمرين من حيث الحجم مع زيادة سمك الطبقة العازلة من 100 نانومتر إلى 300 نانومتر .
